引用本文:罗小秋,温吉利,刘炯,孙启凤.常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究[J].中国表面工程,2007,(3):47~50
.Study on the Preparation of Al2O3 Film by MOCVD Under Normal Atmosphere[J].China Surface Engineering,2007,(3):47~50
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常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究
罗小秋,温吉利,刘炯,孙启凤
作者单位
摘要:
在常压条件下，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜。以仲丁醇铝（ASB）为原料，纯氮为载气，研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响。采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析。研究表明，ABS温度为125℃的工艺条件下，薄膜厚度为500μm，结合强度是梯度涂层（NiAl和Al2O3的梯度沉积）的结合强度的两倍。
关键词:  化学气相沉积  氧化铝  沉积速率  薄膜
DOI：
分类号:TG174.444
基金项目:
Study on the Preparation of Al2O3 Film by MOCVD Under Normal Atmosphere
LUO Xiao-qiu  WEN Ji-li  LIU Jiong  SUN Qi-feng
Abstract:
Key words:  chemical vapor deposition  alumina  deposition rate  thin film
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