引用本文:黄元盛,邱万奇,罗承萍.基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响[J].中国表面工程,2004,(4):32~34
.Effect of Substrate Materials and Temperature on CVD Diamond Deposition[J].China Surface Engineering,2004,(4):32~34
【打印本页】   【HTML】   【下载PDF全文】   【查看/发表评论】  【EndNote】   【RefMan】   【BibTex】
←前一篇|后一篇→ 过刊浏览    高级检索
本文已被：浏览 4220次   下载 91次 本文二维码信息
码上扫一扫！
分享到： 微信 更多
字体:加大+|默认|缩小-
基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响
黄元盛,邱万奇,罗承萍
作者单位
摘要:
使用热丝CVD装置在钢渗铬层、三氧化二铝、YG8硬质合盒基底上沉积了金刚石膜、结果表明，在700～900℃温度范围内，热稳定性好的基底材料有利于金刚石晶核的形成。硬质合金和三氧化二铝的热稳定性都比钢港铬层好，在700～900℃能获得10^7cm^-2以上的形核密度，而钢渗铬层超过800℃后．形核密度低于10^6cm^-2。
关键词:  化学气相沉积 金刚石 形核密度
DOI：
分类号:TN304.055
基金项目:广东省自然科学基金资助项目(990548);韶关学院重点科研资助项目(314-140366);国家教委博士点基金资助项目(1999056121).
Effect of Substrate Materials and Temperature on CVD Diamond Deposition
HUANG Yuan-sheng1  QIU Wan-qi2  LUO Cheng-ping2
Abstract:
Key words:  chemical vapor deposition (CVD),diamond,nucleation density
手机扫一扫看